5.4 连续性方程半导体物理学(13页)惠城开荒保洁13825404095

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发布时间:2024-10-31 07:39

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5.4 连续性方程 1. 连续性方程 连续性方程——扩散和漂移同时存在时,少子所遵守的运动规律。 n型半导体,x 方向施加电场;光注入非平衡载流子。 n 内空穴的变化: dV ① 扩散造成的空穴积累 ② 漂移造成的空穴积累 ③ 载流子的产生 ④ 载流子的复合 Ø连续性方程 空穴浓度随时间的变化率: 2 p  p p E p D  E  p  G  t p x2 p x p x p  p 扩散 漂移 产生 复合 电子浓度随时间的变化率: 2 n  n n E n D   E   n  G  t n x2 n x n x n  n 稳态时载流子浓度的分布不随时间变化: p n 0 0 t t Ø 稳态连续性方程: 2  p p E p D  E  p  G  0 p x2 p x p x p  p 2  n n E n D   E   n  G  0 n x2 n x n x n  n 连续性方程反映了半导体中少数载流子运动的普遍规律,它 是研究半导体器件工作原理的基本方程之一。 2. 连续性方程的应用 2 p  p p E p D  E  p  G  t p x2